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旺宏电子宣布推出全球速度最快1.8V低电压四I/O MXSMIO (Serial Multi I/O)序列闪存IC
旺宏电子宣布推出全球速度最快1.8V低电压四I/O MXSMIO  (Serial Multi I/O)序列闪存IC

全球最大序列式闪存(Serial Flash)生产制造公司旺宏电子(TSE:2337)今日(1/6)宣布,领先业界推出全球速度最快1.8V低电压四I/O MXSMIO™ (Serial Multi I/O)序列闪存。 旺宏电子新的MX25U家族8Mb~64Mb于四个 I/O 模式操作,每个I/O速度高达104MHz,不仅在储存下载SnD(Store and Download)速度上可超越并行闪存(Parallel Flash Memory),更可支援XIP (execute-in-place) 的功能,直接使用其特有加强的四元周边界面(Quad Peripheral Interface) 模式在闪存执行编码。由于具有高效能序列内存的优势,使用者得以享有较少的接脚数与节省印刷电路板空间,且传输量比并行内存更佳。

 

兼具低电压与业界领先效能的MX25U系列适用于如移动电话、泛欧式数位无线电话(Digital Enhanced Cordless Telecommunication phones)、蓝牙商品、全球定位系统、便携式装置以及各种与节能有关的嵌入式应用产品。

 

“NOR型闪存于便携式装置与移动电话的应用上,已经逐渐由并行内存转至序列式内存界面。”旺宏电子副总经理倪福隆指出:“尤其在ultra low-cost移动电话的设计上,已充分利用序列式闪存的独有优势,较少的接脚数与四I/O高速传输速度,将可降低系统总成本。而旺宏电子身为序列式闪存市场的领导者,以其整合元件制造商(IDM)的自有产能优势,将领先业界提供客户最高效能,产品组合齐全,且供货稳定的新一代 MX25U低电压系列产品。”

 

旺宏电子的MX25U系列资料传输率可达416Mbps,运转效能甚至高于并行内存的page-mode。而此产品也提供8/16/32/64-byte长度的 wrap-around 模式,让使用者可以直接从闪存执行而无需快取缓冲区。

 

MX25U 产品系列除了高读取速度,同时也支援写入暂停/恢复(Write Suspend/ Resume)的功能,有助于手机类产品的应用。此产品系列采取旺宏电子新1.8V浮动闸极(floating gate)技术,提供高效能、低功耗以及100K次写入/抹除耐受度等产品优势。

 

具备四元周边界面功能的MX25U系列提供工业级温度范围,并供应8-contact WSON (6mm x 5mm) 或 8-lead SOP (200 mil)的封装产品组合。1.8V MXSMIO™ MX25U系列32Mb已开始提供样品,预定于2010年第一季量产,64Mb样品将于一月提供,而16Mb 与 8Mb 则于三月提供索样。

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